Ge(Li) 반도체검출기

전기전도도가 도체와 절연체의 중간 정도로서 105 10-7모(mho)의 영역에 있는 결정물질을 반도체라고 한다. 반도체내부에 공핍층(空乏層)이라고 불리는 케리어가 없는 영역을 만듦으로써 고저항의 영역을 만들어 낸다. 이 공핍층에 하전입자가 입사하여 이온화가 일어나며, 음양의 전하가 생기면 전리함과 마찬가지 원리에 의해 전류펄스가 생기고 방사선의 검출이 가능하다.

Ge반도체 내부에 공핍층을 만들기 위해 도너 불순물로서 Li을 확산시킨 것이 Ge(Li)반도체이다. 이 반도체를 이용한 검출기의 특징은 고분해능으로 에너지분석이 가능하다는 것과 높은 에너지의 입자를 검출할수 있다는 것이다.